非易失性存储器指在没有上电的状态下依然可以保存所存储信息的存储器。自推出至今，经过市场的长期广泛验证以及技术的不断突破。已被成功应用于智能卡及IC卡等卡片领域、电力仪表及产业设备等工业领域，医疗设备及医疗RFID标签等医疗领域。
富士通电子作为在FRAM领域拥有20年的量产经验，出货量累计达到惊人的37亿颗的供应商，拥有不可撼动的领导地位。近年来，富士通电子陆续推出更低功耗、或者车规级的FRAM产品，适应物联网设备、汽车电子等行业发展。
随着人们对汽车安全性、舒适性、智能性等方面的需求日益提升，电子化、信息化、网络化和智能化已经成为汽车技术的发展方向。未来，汽车电子的价值将很快占到整车成本的48%以上。汽车电子的快速发展带动了市场对于嵌入式系统关键数据存储的强烈需求，这其中FRAM凭借高读写耐久性、高速写入和超低功耗等特性占据该领域最大份额。
此次，富士通电子更是携其全线FRAM产品展示其在汽车电子之新能源汽车电池管理系统（BMS）、自动辅助驾驶（ADAS）领域应用、汽车电子之整车控制单元（VCU）应用、汽车电子之智能安全气囊（Airbag）应用、汽车电子之车联网应用（T-BOX）、汽车电子之车载娱乐系统（Infotainment）应用。
与此同时，富士通电子还将展示基于FRAM产品的RFID 无线无源解决方案和无加密算法的真赝验证解决方案等。其中，无加密算法的真赝验证解决方案是利用FRAM的工作噪音将FRAM内置作为密匙进行验证，这是世界首创的革命性的安全认证方式。
另外富士通品牌的继电器产品为汽车电器元器件的保驾护航的关键产品，已经成为除传感器以外汽车中应用最多的器件，从过去的35个增加到了45个甚至更多，广泛应用于新能源汽车及燃油车控制汽车EPS，IBS，Junction Box，车载空调、灯光、防盗、音响、导航和安全气囊等。富士通功率继电器及信号继电器支持从PV到智能电网、信息通讯（4G/5G）等各种绿色应用，此次展出的还有富士通电子代理的品牌及解决方案，其中包括：
此次展示的是富士通电子代理的 Socionext（索喜）的第四代高性能车载SoC“Miranda”带来了基于“Miranda”的三合一演示Demo，包括高清全液晶仪表，高清360°全景成像和ADAS辅助系统。第四代车载SoC产品“Miranda”采用ARM构架的Cotex-A9 Quad core 1GHz 单芯片CPU，PowerVR S8XE 3D GPU，并带有专为ADAS应用准备的VPU及H.264视频编解码功能，其性能出众且功耗较低适合车载SoC的使用场景。另外，针对传统仪表升级准备的整套全液晶仪表解决方案也非常接地气，可以快速实现产品升级。
CGISTUDIO是Candera公司旗下产品，为客户提供CGI Studio和定制化软件服务。其CGI Studio是一款全开源软件，不受硬件条件限制，软件扩展性强，是汽车领域及嵌入式HMI应用的专业开发平台，在汽车和嵌入式领域的知名度和认可度一直很高。
汽车和工业领域模块的最新集成方案。与以往不同，这次富士通电子代理的新电元（Shindengen）也是完全围绕汽车电子应用进行展开的。其中包括其在汽车电子之助力转向（EPS）与制动系统的应用解决方案（IBS，EBA，BAS）和车载电子系统解决方案（ECU，VCU）。
新电元产品在汽车电子的应用包括EPS、气囊、音频/导航、ABS、ISG/启动马达和发电机/MOSFET/电源模块、TPMS、空调、车距检测、FI-ECU、48V系统、LED、点火器、BCM、CVT/ATCU等。特别是其DC/DC方案不仅实现了业界极具竞争力的功率密度、稳定性能以及很棒的EMI等关键特性，其成本在业界也很有竞争优势。目前已获国内一线厂商的量产车型采用。
突破性隧道磁阻（TMR）传感器的领先供应商 Crocus Technology，现在已经是富士通电子的代理品牌之一，此次带来的是CT300和CT100。CT300是其刚刚推出的新款突破性TMR角度（2D）磁传感器CT300，采用了Crocus革命性的Magnetic Logic Unit（MLU™）技术设计，由两个全桥磁阻网络组成，能够进行二维传感。CT300可满足消费、工业和医疗市场的需求，非常适合OIS（光学图像稳定）/AF（自动聚焦）相机模块、光学编码器、BLDC电机控制、物联网使能型智能设备和电器、自动化设备、工业控制和机器人等需要精确角度位置测量的应用。
3D Global是裸眼3D视频技术的开拓者和领导者。3D Global的裸眼3D视频技术，可以使人们在不需要借助任何辅助设备（如3D眼镜、头盔等）的情况下，获得具有空间、深度的逼真立体影像，为游戏、汽车和医疗等应用领域带来了新的变革。
富士通电子代理的Transphorm带来的是4KW Totem Pole PFC评估板TDTTP4000W066B，可应用于工业系统及数据中心的电源供应。其采用了第三代650V GaN FET（TP65H035WS），通过更低的栅极电荷、更快的切换速度和更小的反向恢复电荷，提供更高的效率（峰值效率可达99%以上）。采用Transphorm的氮化镓（GaN）电源解决方案，还可以使电源缩小尺寸，减轻重量，相较于传统硅（SI）器件具有显著优势。
此次参展的还有富士通研究所和FDK联合开发的超薄型多层芯片功率电感、薄形二氧化锰锂一次性电池以及FDK最新的长寿命锂电池、镍氢电池等。
